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不同过饱和度下DKDP晶体生长和缺陷的研究

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01047

过饱和度是影响DKDP晶体生长和质量的关键因素. 本文采用“点籽晶”快速生长技术在不同的过饱和度下从氘化程度为75%的溶液中生长DKDP晶体并选取部分样品进行同步辐射X射线形貌术和粉末X射线衍射测试. 研究了不同过饱和度下DKDP晶体的生长和缺陷. 实验证明, DKDP晶体可以在的过饱和度下实现快速生长, 但晶体的缺陷随着过饱和度的增大而增加.

关键词: DKDP晶体 , supersaturation , crystal growth , defect

用临界钝化电流（CriticalPassivationCurrentDensity．CPCD）法和液晶法，研究了不锈钢上Ta2O5，ZrO2的高频溅射膜的缺陷率建立了CPCD法中与薄膜有关的电流密度If与膜厚d之间的关系式：If＝k（1－θ）d．利用液晶的动态散射模型（DynamicScatteringMode，DSM），建立了动态无损伤检测膜缺陷率的新方法，并证明了这两种方法的检测结果有良好的直线关系。

关键词: 临界钝化电流密度法 , DSM , liquid crystal , oxide film , defect

溅射CoCrAlY涂层中缺陷对其性能的影响

王福会 , 楼翰一 , 吴维(山文)

金属学报

研究了溅射Co-30Cr-6Al-0.5Y涂层中缺陷对涂层抗高温氧化,热腐蚀及热疲劳性能的影响。结果表明:在氧化条件下,缺陷导致Al的内氧化,在1100℃时,由于Al的大量内消耗,涂层表面已不能形成单一的氧化铝膜,使氧化性能下降;在热腐蚀条件下,缺陷成为硫向涂层中扩散的通道,导致涂层及基体的硫化;在冷热疲劳条件下,缺陷成为裂纹源,在交变应力作用下,裂纹向基体中扩展,降低了涂层的热疲劳性能。

关键词: CoCrAlY涂层 , defect , oxidation , hot corrosion , thermal shock

用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式

邓文 , 熊良钺 , 龙期威 , 王淑荷 , 郭建亭

金属学报

本文用正电子湮没技术(PAT)研究了不同硼含量的单晶和多晶Ni_3Al中硼原子的存在形式。在Ni_3Al合金中加入少量硼(≤1.37％)时,一部分硼原子以间隙方式溶解到基体中,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ)增长;另一部分硼偏聚到空位型缺陷上,产生“填充效应”,导致平均寿命■和S参数下降。硼量为2.22at.-％时,缺陷态的τ显著增长,■和S参数增大,表明在晶界成晶内析出硼化物,诱发了较多的自由体积较大的缺陷。

关键词: Ni_3Al , positron annihilation , B additive , defect

KTiOAsO₄晶体的生长缺陷研究

牟其善 , 刘希玲 , 马长勤 , 王绪宁 , 路庆明

无机材料学报

研究ＫＴｉＯＡｓＯ₄晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著，ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物．讨论了这些缺陷形成的原因。

关键词: KTiOAsO₄晶体 , synchrotron radiation topography , defect , ferroelectric domain

BaTiO₃基PTCR气敏陶瓷的晶界化学研究

周志刚 , 唐子龙 , 张中太

无机材料学报

陶瓷化学传感器的敏感机制与品界的化学缺陷结构在周围微环境下的变异密切相关.晶粒表面和晶界是空位源,研究陶瓷材料在环境气氛中晶界化学缺陷的变化,对于探索陶瓷材料的敏感机制和开拓新应用具有重要意义.本文就BaTiO₃基PTCR陶瓷中本征缺陷的生成和分布,缺陷在高温冻结、吸附和脱附过程中的变化,缺陷的重分布及其对晶界势垒的贡献进行深入的讨论.

关键词: BaTiO₃PTCR陶瓷 , grain boundary , defect , CO gas sensor

几种纳米固体材料的显微结构特征

平德海 , 李斗星 , 叶恒强 , 吴希俊

金属学报

本文利用高分辨电镜（ＨＲＥＭ）对两种不同方法制备的纳米固体材料的微观结构进行了研究．结果表明，在惰性气体凝聚加原位加压法制备的纳米固体Ｐｄ中，晶界上既有有序的区域，同时又存在局部不完整或无序的区域以及纳米级的空洞，而且晶粒内部及晶界区存在大量的缺陷．在非晶晶化制备的Ｔｉ－Ｎｉ－Ｓｉ和Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ纳米合金中，晶界基本上为有序结构，没有明显的无序区或纳米空洞存在，缺陷的密度也较低．在两种不同方法制备的纳米固体中，晶界都呈现出弯曲的特征，而且邻近晶界的区域存在点阵畸变．

关键词: 纳米固体材料 , grain boundary , defect , high resolution electron microscopy

长余辉(寿命)发光材料研究的最新进展

施朝淑 , 戚泽明

无机材料学报

综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展,包括三方面:新材料研制,新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面,主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态,以及稀土掺杂的作用.为促进新材料的研究着重概述了对长余辉发光机理研究的新进展,除了载流子传输与隧穿效应外,还介绍了两种最新观点;双光子吸收与V_K中心模型,并对其存在的问题作了评述.应用方面,除了已有的弱光照明与显示领域外,还在向光电信息功能,特别是二维图像存储,高能粒子射线探测方面发展.

关键词: 长余辉（寿命） , defect , luminescence

晶界势垒和缺陷对PTC效应影响的研究

程绪信 , 肖海霞 , 赵肇雄 , 崔海宁

硅酸盐通报

为了适应市场对低压集成电路过流保护作用的PTC热敏陶瓷的低阻化要求,采用还原-再氧化的烧结工艺来制备多层片式PTC热敏陶瓷.本文主要研究了(Ba1.022-xSmx)TiO3基陶瓷在还原气氛中1200℃烧结30 min并在800℃再氧化热处理后其室温电阻率随施主掺杂浓度的变化关系,以及冷却速率对该样品PyTC效应的影响.从氧化物半导体理论出发,阐述了在还原再氧化过程中该陶瓷的缺陷模型和晶界特性,讨论了施主掺杂BaTiO3基PTC陶瓷缺陷行为与晶界势垒及其导电机理,解释了冷却速率和再氧化时间对样品的电性能以及PTC效应的影响.

关键词: BaTiO3陶瓷 , PTC效应 , 热敏陶瓷 , 晶界势垒 , 缺陷